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2 inch Silicon Carbide Wafer (SiC Wafer), 4h-n type
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2 inch Silicon Carbide Wafer (SiC Wafer), 4h-n type

150 USD / ( Negotiable )

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1 Piece Minimum Order

País:

China

N º de Modelo:

-

Precio FOB:

150 USD / ( Negotiable ) Obtener el precio más reciente

Lugar de origen:

China

Precio de pedido mínimo:

150

Cantidad de pedido mínimo:

1 Piece

Detalle de embalaje:

Standard

El tiempo de entrega:

1-30 days

Capacidad de suministro:

50000 Piece per Year

Tipo de pago:

Other, PayPal, Money Gram, Western Union, D/P, D/A, L/C, T/T

Grupo de productos :

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Miembro Básico

Persona de contacto Shirley

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Especificaciones del producto

  • size :2 inch
  • thickness:350um
  • type:4h-n type

Descripción del producto

SiC substrate material is the core and basic material for preparing power semiconductor devices.Due to its excellent physical properties such as high temperature resistance, high pressure resistance,high working frequency and high thermal conductivity,SiC can effectively reduce device volume, increase power density, simplify system, and improve performance. Currently, it has been widely applied in the field of new energy, which is represented by the EV industry. JXT has n-type SiC substrates and semi-insulating type SiC substrates, if you need, contact us!

País: China
N º de Modelo: -
Precio FOB: 150 / ( Negotiable ) Obtener el precio más reciente
Lugar de origen: China
Precio de pedido mínimo: 150
Cantidad de pedido mínimo: 1 Piece
Detalle de embalaje: Standard
El tiempo de entrega: 1-30 days
Capacidad de suministro: 50000 Piece per Year
Tipo de pago: Other, PayPal, Money Gram, Western Union, D/P, D/A, L/C, T/T
Grupo de productos : sic wafer

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A:

Shirley < JXT Technology Co., Ltd. >

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