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Obtener el precio más reciente150 USD / ( Negotiable )
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País:
China
N º de Modelo:
-
Precio FOB:
150 USD / ( Negotiable )Obtener el precio más reciente
Lugar de origen:
China
Precio de pedido mínimo:
150
Cantidad de pedido mínimo:
1 Piece
Detalle de embalaje:
Standard
El tiempo de entrega:
1-30 days
Capacidad de suministro:
50000 Piece per Year
Tipo de pago:
Other, PayPal, Money Gram, Western Union, D/P, D/A, L/C, T/T
Grupo de productos :
China
Persona de contacto Shirley
SiC substrate material is the core and basic material for preparing power semiconductor devices.Due to its excellent physical properties such as high temperature resistance, high pressure resistance,high working frequency and high thermal conductivity,SiC can effectively reduce device volume, increase power density, simplify system, and improve performance. Currently, it has been widely applied in the field of new energy, which is represented by the EV industry. JXT has n-type SiC substrates and semi-insulating type SiC substrates, if you need, contact us!
País: | China |
N º de Modelo: | - |
Precio FOB: | 150 / ( Negotiable ) Obtener el precio más reciente |
Lugar de origen: | China |
Precio de pedido mínimo: | 150 |
Cantidad de pedido mínimo: | 1 Piece |
Detalle de embalaje: | Standard |
El tiempo de entrega: | 1-30 days |
Capacidad de suministro: | 50000 Piece per Year |
Tipo de pago: | Other, PayPal, Money Gram, Western Union, D/P, D/A, L/C, T/T |
Grupo de productos : | sic wafer |