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2 inch GaN Freestanding Substrate manufacturer
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2 inch GaN Freestanding Substrate manufacturer

850 USD / ( Negotiable )

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1 Piece Minimum Order

País:

China

N º de Modelo:

-

Precio FOB:

850 USD / ( Negotiable ) Obtener el precio más reciente

Lugar de origen:

China

Precio de pedido mínimo:

850

Cantidad de pedido mínimo:

1 Piece

Detalle de embalaje:

Standard

El tiempo de entrega:

1-30days

Capacidad de suministro:

50000 Piece per Year

Tipo de pago:

Other, PayPal, Money Gram, Western Union, D/P, D/A, L/C, T/T

Grupo de productos :

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Miembro Básico

Persona de contacto Shirley

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Especificaciones del producto

  • Thickness:400um
  • type:N-type,UID-Undoped,Semi-Insulating
  • size:2 inch

Descripción del producto

Gallium nitride(GaN) is a new type of semiconductor material for the development of microelectronic devices and optoelectronic devices.The three major application areas are LED (lighting, display), radio frequency communication, and high frequency power devices.Because of high power density output and high energy conversion efficiency, it can make the system smaller and lighter, effectively reducing the volume and weight of the power electronic device, thereby GaN is applied to wireless chargers for EVs, in-wheel motors and wireless base stations for next-generation communication, 5G base station.

País: China
N º de Modelo: -
Precio FOB: 850 / ( Negotiable ) Obtener el precio más reciente
Lugar de origen: China
Precio de pedido mínimo: 850
Cantidad de pedido mínimo: 1 Piece
Detalle de embalaje: Standard
El tiempo de entrega: 1-30days
Capacidad de suministro: 50000 Piece per Year
Tipo de pago: Other, PayPal, Money Gram, Western Union, D/P, D/A, L/C, T/T
Grupo de productos : GaN wafer

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A:

Shirley < JXT Technology Co., Ltd. >

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