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MD7P19130HS Microwave Electronic Components
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Miembro Básico

Persona de contacto Anne

Quanzhou, Fujian

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Especificaciones del producto

  • Frequency range :1930-1990Mhz
  • Power :40W
  • Voltage:28V

Descripción del producto

RF Power Field Effect Transistors. N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET.This product is designed for CDMA base station applications with frequencies from ***0 to ***0 MHZ.Suitable for CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in class AB and Class C for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications.
Allplication :

País: China
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A:

Anne < Quanzhou Yingtron Microwave Co., Ltd >

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