Precio FOB
Obtener el precio más reciente0 ~ 55
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País:
China
N º de Modelo:
MG100Q2YS11
Precio FOB:
Lugar de origen:
Japan
Precio de pedido mínimo:
-
Cantidad de pedido mínimo:
1 Piece
Detalle de embalaje:
-
El tiempo de entrega:
ship out within 7 business days
Capacidad de suministro:
-
Tipo de pago:
T/T, Western Union, PayPal
Grupo de productos :
Persona de contacto Eva
Hua qiang Road, Shenzhen, Guangdong
THSHIBA
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
GTR Module
Silicon N Channel IGBT
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
Features
1.High impedance
2.High speed : Tf*1.0μS(Max.)
trr=0.5(Max.)
3.Low saturation : Vce(sat)=2.7V(Max.)
4.Enhancement mode
5.The electrodes are isolated from case
6.Includes a complete half bridge card in one
package
| País: | China |
| N º de Modelo: | MG100Q2YS11 |
| Precio FOB: | 0 ~ 55 Obtener el precio más reciente |
| Lugar de origen: | Japan |
| Precio de pedido mínimo: | - |
| Cantidad de pedido mínimo: | 1 Piece |
| Detalle de embalaje: | - |
| El tiempo de entrega: | ship out within 7 business days |
| Capacidad de suministro: | - |
| Tipo de pago: | T/T, Western Union, PayPal |
| Grupo de productos : | Modules |
