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País:
China
N º de Modelo:
IRF5803TRPBF
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Grupo de productos :
Persona de contacto myra
Xiaolou, Guangdong
These P-channel HEXFET� Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. The TSOP*6 package with its customized leadframe produces a HEXFET� power MOSFET with RDS(on) *0% less than a similar size SOT**3. This package is ideal for applications where printed circuit board space is at a premium. It's unique thermal design and RDS(on) reduction enables a current-handling increase of nearly **0% compared to the SOT**3.
| País: | China |
| N º de Modelo: | IRF5803TRPBF |
| Precio FOB: | Obtener el precio más reciente |
| Lugar de origen: | - |
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| Detalle de embalaje: | - |
| El tiempo de entrega: | - |
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| Tipo de pago: | - |
| Grupo de productos : | ic electronic components |
