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Germanium polished wafer

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Jin He electron material company

China

Miembro Básico

Persona de contacto Mr. walliam

pudong, shanghai, shanghai

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Especificaciones del producto

Descripción del producto

Dia 2inch 4inch
Grade Prime/test
Growth Method    CZ/VGF
Conductivity Type   P/N
Dopant N type: Sb,
       P type:In/Ga
Resistivity:    0.*5 ~ 1ohm-cm , 1 ~ *0 ohm-cm
thickness: customization
Crystal orientation: <**0> <**1> <**0>
surface: single/double side polished
no scratch, no saw mark, no chip, no stain
packing Aluminum foil vacuum packing
particle *@********************

País:	China
N º de Modelo:	Ge
Precio FOB:	(Negociable) Obtener el precio más reciente
Lugar de origen:	-
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Cantidad de pedido mínimo:	-
Detalle de embalaje:	-
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