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Grupo de productos :
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Persona de contacto Kate
Quanzhou, Fujian
A ***0 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and
industrialÂ
applications in the HF to **0 MHz band. This product is an enhanced
version of theÂ
BLF**8 using NXP's XR process to provide maximum ruggedness
capability in the mostÂ
severe applications without compromising the RF performance.
| País: | China |
| N º de Modelo: | - |
| Precio FOB: | Obtener el precio más reciente |
| Lugar de origen: | - |
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| Cantidad de pedido mínimo: | 1 |
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