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A3V09H521-24S A3V09H520-24S N-channel Enhancement Mode Lateral MOSFETs airfast RF Power LDMOS Transisitors

31 ~ 40 USD / Unit

|

10 Unit Minimum Order

País:

China

N º de Modelo:

A3V09H520-24S

Precio FOB:

31 ~ 40 USD / Unit Obtener el precio más reciente

Lugar de origen:

Shenzhen China

Precio de pedido mínimo:

31 per Unit

Cantidad de pedido mínimo:

10 Unit

Detalle de embalaje:

In Tape and Reel.

El tiempo de entrega:

1-3days FOB Shenzhen

Capacidad de suministro:

2000 Unit per Week

Tipo de pago:

T/T, Western Union, PayPal

Grupo de productos :

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Miembro Básico

Persona de contacto Mr. Yuanlong

19B hangdu mansion huafu road futian district, Shenzhen, Guangdong

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Especificaciones del producto

  • Brand Name: Original

Descripción del producto

Product Description:

This 107W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering  the frequency range 720 to 960 MHz.

Model No. : A3V09H521-24S  / A3V09H520-24S
Instock: 2000 units


Features:
Advanced high performance in-- package Doherty
Greater negative gate -- source voltage range for improved Class C operation
Designed for digital predistortion error correction systems

image
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País: China
N º de Modelo: A3V09H520-24S
Precio FOB: 31 ~ 40 / Unit Obtener el precio más reciente
Lugar de origen: Shenzhen China
Precio de pedido mínimo: 31 per Unit
Cantidad de pedido mínimo: 10 Unit
Detalle de embalaje: In Tape and Reel.
El tiempo de entrega: 1-3days FOB Shenzhen
Capacidad de suministro: 2000 Unit per Week
Tipo de pago: T/T, Western Union, PayPal
Grupo de productos : IC

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